автор
Владимир Астахов
Материалы и элементы электронной техники. Расчет режимов термического окисления и диффузии при формировании легированных слоев
Основы радиационных технологий. Расчет режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовления кремниевых солнечных элементов n+–p–p+(p+–n–n+)-типа
Основы технологии электронной компонентной базы